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來源：世展網(wǎng) 分類：半導(dǎo)體行業(yè)資訊 2025-06-19 14:43 閱讀：*****

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（信息來源：theelec）韓國科學(xué)技術(shù)研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，當(dāng) HBM5 實(shí)現(xiàn)商業(yè)化時(shí)，冷卻技術(shù)將成為高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) 市場競爭的主要因素。韓國科學(xué)技術(shù)研究院電氣工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 領(lǐng)導(dǎo)的該大學(xué)下屬研究小組）主辦的活動(dòng)中表示，目前，封裝是決定半導(dǎo)體市場霸權(quán)的主要因素，但隨著 HBM5 的出現(xiàn)，這一局面將轉(zhuǎn)變?yōu)槔鋮s技術(shù)。該實(shí)驗(yàn)室分享了所謂的 2025 年至2040 年 HBM4 至 HBM8 的技術(shù)路線圖。其中一些技術(shù)包括 HBM 架構(gòu)、冷卻方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介層等。Kim 表示，預(yù)計(jì)基礎(chǔ)芯片將通過異構(gòu)和先進(jìn)的封裝技術(shù)移至 HBM 的頂部。由于從 HBM4 開始，基礎(chǔ)芯片將承擔(dān) GPU 的部分工作負(fù)載，因此基礎(chǔ)芯片的溫度升高使得冷卻變得非常重要。HBM5 結(jié)構(gòu)采用浸入式冷卻，基片和封裝將浸入冷卻液中。Kim 指出，目前使用的液體冷卻方法存在局限性。在 HBM4 中，液體冷卻劑被注入封裝頂部的散熱器中。除了 TSV 之外，還將添加新的通孔，例如熱通孔 (TTV)、柵極 TSV 和電源TPV。該教授表示，HBM7 需要嵌入式冷卻系統(tǒng)將冷卻液注入DRAM 芯片之間，為此將添加流體 TSV。HBM7 還將與各種架構(gòu)相結(jié)合，例如高帶寬閃存 (HBF)，其中 NAND 以 3D 方式堆疊，就像 DRAM 以 HBM 方式堆疊一樣，而HBM8 將把 HBM 直接安裝在 GPU 頂部。該教授還表示，除了冷卻之外，鍵合也是決定HBM性能的另一個(gè)主要因素。他表示，從HBM6開始，將引入玻璃和硅的混合中介層。

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