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【產(chǎn)業(yè)信息速遞】臺積電,擴產(chǎn)2nm

來源:世展網(wǎng) 分類:半導(dǎo)體行業(yè)資訊 2025-02-27 12:36 閱讀:*****
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2026年上海國際半導(dǎo)體展覽會 SEMICON CHINA

2026-03-25-03-27

距離266

(信息來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察綜合)

 

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈去年底曾傳出,臺積電2nm試產(chǎn)良率超過6成,比預(yù)期佳,2025年如期量產(chǎn)。一位自稱臺積電員工的網(wǎng)友在社群平臺指出,臺積電正在擴大2納米產(chǎn)能,目標(biāo)是月產(chǎn)超過10萬片。

 

本報此前披露,臺積電的2nm首度采納米片(Nanosheet)架構(gòu),比目前3納米的鰭式場效電晶體(FinFET)制程技術(shù)門檻更高、更復(fù)雜;目前正在竹科寶山第一座廠展開風(fēng)險性試產(chǎn),待良率達量產(chǎn)水準(zhǔn),會將量產(chǎn)經(jīng)驗復(fù)制到高雄首座廠量產(chǎn)。

 

臺積電不透露試產(chǎn)良率多少,僅強調(diào)目前2納米進展順利,2025年如期量產(chǎn),屆時將會是業(yè)界最領(lǐng)先的技術(shù)。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈則傳出,臺積電2納米試產(chǎn)良率超過6成,比預(yù)期佳。

 

近日則傳出,臺積電2納米月產(chǎn)能預(yù)計年底為5萬片,若進展順利可望達到8萬片。對于上述傳聞,1位自稱是臺積電員工的網(wǎng)友Dr. Kim在社群平臺X上PO文稱,此訊息屬實,并稱:“我們正在擴大2納米的產(chǎn)能,目標(biāo)是每月生產(chǎn)超過10萬片”。

 

2nm,巔峰之爭

 

除了臺積電,三星和Intel也都在2nm上發(fā)力。

 

據(jù)知名分析機構(gòu) TechInsights 稱,英特爾的 18A 可以提供更高的性能,而臺積電的 N2 可能會提供更高的晶體管密度。TechInsights 分析師認(rèn)為,臺積電的 N2 提供了 313 MTr/mm2的高密度 (HD) 標(biāo)準(zhǔn)單元晶體管密度,遠遠超過英特爾 18A (238 MTr/mm2) 和三星 SF2/SF3P (231 MTr/mm2) 的 HD 單元密度。雖然這些信息與18A、N2 和 N3 的 SRAM 單元大小以及臺積電對 N2 和 N3 的預(yù)期大致相符,但仍有一些事項需要注意。

 

首先,這僅涉及 HD 標(biāo)準(zhǔn)單元。幾乎所有依賴尖端節(jié)點的現(xiàn)代高性能處理器都使用高密度 (HD)、高性能 (HP) 和低功耗(LP) 標(biāo)準(zhǔn)單元的混合體,更不用說像臺積電的 FinFlex 和 NanoFlex 這樣的功能了。

 

其次,目前尚不清楚英特爾和臺積電的 HP 和 LP 標(biāo)準(zhǔn)單元如何比較。雖然可以合理地假設(shè) N2 在晶體管密度方面領(lǐng)先,但其領(lǐng)先優(yōu)勢可能不如 HD 標(biāo)準(zhǔn)單元那么大。第三,在 IEDM 活動上發(fā)表的論文中,英特爾和臺積電都披露了其下一代 18A 和 N2 制造工藝相對于其前代工藝的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。不過,目前還沒有辦法將這兩種制造技術(shù)進行正面比較。

 

在性能方面,TechInsights 認(rèn)為英特爾的 18A 將領(lǐng)先于臺積電的 N2 和三星的 SF2(以前稱為 SF3P)。然而,TechInsights使用了一種有爭議的方法來比較即將推出的節(jié)點的性能,因為它使用臺積電的 N16FF 和三星的 14nm 工藝技術(shù)作為基準(zhǔn),然后添加兩家公司宣布的節(jié)點到節(jié)點性能改進來做出預(yù)測。雖然這可能是一個估計值,但它可能并不完全準(zhǔn)確。

 

另一方面,英特爾專注于制造高性能處理器,因此 18A 可以針對性能和功率效率進行量身定制,而不是 HD 晶體管密度。歸根結(jié)底,18A 支持背面供電網(wǎng)絡(luò) PowerVia,使用該網(wǎng)絡(luò)的芯片可能比不支持此功能的臺積電 N2 具有性能和晶體管密度優(yōu)勢。然而,這并不意味著每個 18A 芯片都會使用 PowerVia。

 

談到功耗,TechInsights 分析師推測基于 N2 的芯片將比基于 SF2 的類似IC 消耗更少的電量,因為近年來臺積電在功耗效率方面一直處于領(lǐng)先地位。至于英特爾,這還有待觀察,但至少 18A將在這方面提供優(yōu)勢。

 

另一個被廣泛流傳的數(shù)字是,臺積電2nm工藝的每片晶圓售價將達到3萬美元。

 

TechInsights 提供全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體成本和價格模型。在 3nm 投入生產(chǎn)之前,我們預(yù)計每片晶圓的成本低于 20,000 美元,一些客戶聯(lián)系我們,堅稱 3nm 的價格為每片晶圓 20,000 至 25,000 美元。3nm 投入生產(chǎn)后,我們能夠?qū)ε_積電的財務(wù)狀況進行專有取證,并確定我們是正確的,批量價格低于每片晶圓 20,000 美元,差數(shù)千美元。

 

從 3nm 晶圓每片不到 20,000美元的價格到 2nm 晶圓每片 30,000 美元的價格,意味著價格上漲了 1.5 倍以上,密度也提高了 1.15 倍,晶體管成本大幅增加,這引發(fā)了一個問題:誰會支付這筆費用?我們的價格估計是每片不到 30,000 美元。還有報道稱,蘋果通常是臺積電每個節(jié)點的主要客戶,可能會因為價格原因放棄最初的 2nm 使用,盡管我們也聽到了反對的聲音。

 

此次討論的另一個要素是,臺積電的大批量晶圓價格比小批量晶圓價格低很多,因此在任何討論中都需要考慮批量。總體而言,我們認(rèn)為 30,000 美元高于平均到大批量的定價。

 

如果臺積電將 2nm 晶圓的價格定為每片 30,000 美元,他們將給客戶帶來很大壓力,迫使他們轉(zhuǎn)向英特爾和三星獲取 2nm 級晶圓供應(yīng)。

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